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IRF5305S/L
2500
V GS
=
0V , f = 1 M H z
20
I D = -16 A
2000
C iss
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
16
V D S = -4 4V
V D S = -2 8V
1500
1000
500
C oss
C rss
12
8
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 1 3
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
1000
100
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 17 5 °C
1000
100
10
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μ s
1m s
T J = 2 5°C
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
10m s
V G S = 0 V
10
0.4
0.8 1.2 1.6 2.0
-V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
A
1
1
S ing le P u lse
10
-V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
100
A
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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